Nvidia GeForce RTX 50 系列Blackwell GPU将在台积电4NP节点制造
Kopite7kimi 是一位拥有无可挑剔记录的泄密者，他透露了有关为下一代 GeForce RTX 5090、RTX 5080 和 RTX 5070 提供动力的 GB202、GB203 和 GB205 GPU 的一些信息。在 Nvidia 展示其基于 Blackwell 架构的旗舰 GB100 GPU 后不久，Kopite7kimi 确认 GeForce RTX 50 系列将在同一台积电 4NP（不要与 N4P 混淆）节点上制造。
泄密者补充说，4NP节点应该会导致晶体管密度增加30%。这明显高于 N4 和 N4P 之间 6% 的晶体管密度增加。对于英伟达来说，使用其自定义节点（4N）的增强版本是有意义的，而不是在N3B和N3E等尖端替代品上争夺容量。Nvidia 能否在不影响良率的情况下将芯片尺寸保持在 EUV 标线限制 （856 mm2） 内还有待观察。
Kopite7kimi 补充说，GB202（和其他 Blackwell GPU）的每个 SM（流式多处理器）都可能获得更大的 L1 缓存。这可能是整个SM重新设计的一部分，泄密者表示这将提高每个SM的吞吐量。由于整个 GB3202 芯片将配备 192 个 SM，GeForce RTX 5090 实际上可能会实现传闻中的 2.6 性能提升。
来源：IT时代网
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