三星的8层HBM3E芯片克服了热量和电力障碍，获得了Nvidia的批准

三星电子已成功通过 Nvidia 对其 8 层 HBM3E 内存芯片的严格测试，将自己定位为快速增长的 AI 芯片行业的关键供应商。HBM，即高带宽内存，是一种特殊类型的 DRAM，旨在以闪电般的速度处理大量数据。它是为人工智能应用所需的复杂计算提供动力的关键组件。HBM3E 是最新版本，提供比 HBM3 更高的性能和能效。

获得英伟达的批准对三星来说是一个障碍，三星此前曾面临与其HBM芯片的热量和功耗相关的挑战。此后，随着人工智能应用的要求越来越高，该公司已经解决了这些问题，以满足英伟达的标准。三星与SK海力士和美光等公司一起，正在竞相满足这一需求。

虽然三星的 12 层 HBM3E 芯片仍在评估中，但无论如何，8 层版本的批准都是该公司向前迈出的一步。英伟达最近还首次清理了三星的第四代高带宽内存芯片HBM3。不过，路透社此前曾表示，这些芯片可能只会用于中国专用的英伟达显卡。

来源：IT时代网

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