三星正在探索 MUF 技术，以制造用于服务器的下一代 DRAM

据 TheElec 报道，三星正在考虑在其下一代动态随机存取存储器 （DRAM） 中采用填充模压 （MUF） 技术。此举标志着三星正在探索创新技术，以提高其内存解决方案的性能和效率。SK海力士之前在高带宽内存（HBM）生产中使用的MUF技术为三星未来的DRAM工作提供了广阔的前景。

三星对MR MUF工艺的测试显示出可喜的结果

MUF技术涉及在半导体层上钻出许多小孔后，在半导体之间注入材料。该过程旨在安全地连接多个垂直堆叠的半导体。三星最近对用于 3D 堆叠存储器的 MR MUF 工艺进行的测试表明，与热压非导电薄膜 （TC NCF） 等传统方法相比，吞吐量有所提高。但是，有一些关于其对物理特性的影响的考虑。

虽然三星发现 MUF 由于特定要求不适合 HBM 技术，但它看到了 3DS 寄存器双列直插式内存模块 （RDIMM） 的潜在应用，主要用于服务器环境。这一决定符合三星致力于推进服务器 DRAM 内存技术以满足不断变化的行业需求的承诺。

MUF在SK海力士HBM生产中的成功引起了半导体行业的关注。这种环氧树脂模塑料被认为具有防止晶圆翘曲和提高整体性能等优点。三星寻求与三星SDI合作开发自己的MUF化合物，这表明这是一项战略举措，旨在建立适合其要求的专有解决方案。

三星可能采用MUF技术对半导体市场具有重要意义。作为世界领先的存储半导体公司，三星对MUF的认可可能会促进其作为主流技术的广泛接受和采用。这一发展有可能重塑半导体材料市场格局，推动行业重大转型。

来源：IT时代网

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