CXMT 飞跃前行：中国公司提前两年开始生产 HBM2

据报道，中国著名的内存制造商长信内存技术有限公司（CXMT）已开始量产其第二代高带宽内存（HBM2）。据DigiTimes报道，这一发展标志着中国半导体行业的一个重要里程碑，比原计划提前了大约两年。

CXMT从美国和日本供应商处采购了制造设备，应用材料公司（Applied Materials）和泛林集团（Lam Research）等美国公司获得了必要的出口许可证。HBM 的生产涉及一个复杂的过程，包括存储设备的制造和测试、基础模具和最终组装。

HBM2 提供卓越的带宽性能，具有 1024 位宽接口，每个引脚的数据传输速率范围约为 2 GT/s 至 3.2 GT/s。虽然其生产不需要尖端的光刻技术，但由于 HBM DRAM 集成电路的尺寸比标准商用 DRAM 更大，因此它确实需要大量的制造能力。

HBM 生产所需的先进封装技术带来了巨大的挑战。该过程涉及使用小型硅通孔 （TSV） 垂直连接 8 个或 12 个存储设备。尽管存在这种复杂性，但与使用 10nm 工艺技术制造 DRAM 设备相比，组装类似 HBM 的已知良好的堆叠芯片 （KGSD） 模块的挑战性较小。

虽然值得注意的是，CXMT的成就仍然使该公司落后于美光、三星和SK海力士等全球竞争对手。这些行业领导者目前正在大规模生产 HBM3 和 HBM3E 内存，并计划在不久的将来开始生产具有 2048 位接口的 HBM4。

对于中国的科技行业来说，国内HBM2的生产代表着一个至关重要的进步。这种内存技术对于先进的人工智能和高性能计算处理器至关重要，例如华为的昇腾910系列，凸显了其在中国追求技术自给自足方面的重要性。

来源：IT时代网

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